產品簡介

NS系列半導體臺階高度測量儀器可精準測量臺階高度（納米至1050μm）、表面粗糙度（Ra、Rz等參數）、膜層厚度及應力分布，為材料研發、工藝優化與質量管控提供可靠數據支持。廣泛應用于半導體、光伏、MEMS、光學加工等領域。

中圖儀器NS系列半導體臺階高度測量儀器是一款專為高精度微觀形貌測量設計的超精密接觸式儀器，廣泛應用于半導體、光伏、MEMS、光學加工等領域。通過2μm金剛石探針與LVDC傳感器的協同工作，結合亞埃級分辨率（5 ?）與智能化分析軟件，可精準測量臺階高度（納米至1050μm）、表面粗糙度（Ra、Rz等參數）、膜層厚度及應力分布，為材料研發、工藝優化與質量管控提供可靠數據支持。

NS系列臺階儀實物圖：緊湊設計，高效集成

核心優勢

1. 超高精度與穩定性

亞埃級分辨率：采用線性可變差動電容傳感器（LVDC），重復性達5 ?（330μm量程），確保納米級數據可靠性。

超低噪聲信號采集：集成超精密位移臺與標定算法，適應實驗室及工業環境，抗振動干擾能力強。

2. 多功能智能測量

多模式覆蓋：支持單區域、多區域陣列掃描及3D面掃描，一鍵生成三維輪廓圖，滿足復雜形貌分析需求。

SPC統計分析：批量樣品數據自動生成趨勢圖表，助力工藝過程監控與優化。

3. 高效操作與靈活適配

磁吸式快速換針：無需工具即可更換測針（標配2μm金剛石針），支持330μm與1050μm量程自由切換。

雙導航光學影像：500萬像素高清相機（NS200-D型號）提供正視/斜視雙視角，精準定位掃描路徑，降低人為誤差。

大尺寸兼容性：NS系列半導體臺階高度測量儀器電動X/Y平臺（150mm×150mm）搭配8英寸晶圓載物臺，適配半導體晶圓、光伏基板等大尺寸樣品。

磁吸式測針（330μm量程）：操作便捷，維護高效

行業應用場景

半導體制造：沉積/蝕刻薄膜厚度測量、CMP工藝表面平整度檢測、抗蝕劑臺階高度分析。

光伏與顯示面板：太陽能涂層膜厚、AMOLED屏微結構、觸控面板銅跡線測量。

MEMS與微納材料：微型傳感器形貌表征、柔性電子器件薄膜厚度檢測。

科研與高校：材料表面應力分析、微加工工藝研發數據支撐。

部分技術參數

使用環境

相對濕度：濕度 （無凝結）30-40% RH

溫度：16-25℃ (每小時溫度變化小于2℃)

地面振動：6.35μm/s（1-100Hz）

音頻噪音：≤80dB

空氣層流：≤0.508 m/s（向下流動）